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通富微电喜获国家科技进步一等奖

来源: 南通市科学技术局 发布时间:2021-11-03 字体:[ ]

2021年11月3日,在国家科技奖励大会上,通富微电作为主要完成单位、石磊总裁作为主要完成人的“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目喜获国家科技进步一等奖。

集成电路封装被誉为芯片的“骨骼、肌肉、血管、神经”,是提升芯片性能的根本保障。随着芯片越来越小,密度越来越高,高密度芯片封装容易出现翘曲和异质界面开裂,导致成品率低和寿命短等产业共性难题。

通富微电致力于集成电路封装技术研发。此次获奖项目重点内容之一是:针对高密度芯片封装工艺中焊点易桥连和界面易损伤难题,提出倒装铜柱凸点高密度键合技术,发明原位微米级栅线投影翘曲测试方法,研制基材与布线密度匹配、磁性载具与回流曲线优化的低应力倒装焊接工艺,也是目前国际唯一突破 7nm 9 芯片 64 核 CPU 芯片封装核心技术,产品成品率达 99.8%。

项目解决了电子封装行业知识产权“空心化”和“卡脖子”难题,占领了行业技术制高点,实现了高密度高可靠电子封装从无到有、由传统封装向先进封装的转变,具备国际竞争能力。

项目来源于通富微电承担的2017年国家02专项——CPU封装及测试技术开发。自 2009年以来,通富微电先后承担并实施了“十一五”至“十三五”国家科技重大专项(02专项)项目课题。作为02专项的骨干承担单位,公司拥有国家企业技术中心、国家博士后科研工作站、企业研究院等高层次研发平台,拥有3000多人的技术管理团队,先后获得超过5亿元的专项支持,极大地提升了公司技术创新、高端突破能力。公司承担的02专项项目及课题累计产值已超100亿元,申请专利769件,其中授权专利465件。